- Bran***Lewis
- 2026년05월11일
데이터 시트
SI7104DN.pdfPCN 디자인/사양
Mult Dev 08/Dec/2022.pdfPCN 어셈블리/원산지
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdfSI7104DN-T1-GE3 기술 사양
Vishay Siliconix - SI7104DN-T1-GE3 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Vishay Siliconix - SI7104DN-T1-GE3과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조사 | Vishay / Siliconix |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1.8V @ 250µA |
| Vgs (최대) | ±12V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 |
| 연속 | TrenchFET® |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 3.7mOhm @ 26.1A, 4.5V |
| 전력 소비 (최대) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
| 패키지 / 케이스 | PowerPAK® 1212-8 |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 제품 속성 | 속성 값 |
|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2800 pF @ 6 V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 12 V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 35A (Tc) |
| 기본 제품 번호 | SI7104 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | ROHS3 준수 |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| ECCN | EAR99 |
오른쪽 세 부분의 규격은 Vishay Siliconix SI7104DN-T1-GE3와 비슷합니다
| 제품 속성 | ||||
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | SI7100DN-T1-GE3 | SI7102DN-T1-GE3 | SI7106DN-T1-GE3 | SI7104DN-T1-E3 |
| 제조사 | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| Vgs (최대) | - | - | - | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | - | - | - | - |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | - | - | - | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | - | - | - | - |
| FET 유형 | - | - | - | - |
| 과학 기술 | - | - | - | - |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | - | - | - | - |
| 패키지 / 케이스 | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | - | - | - | - |
| 패키지 | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| 제조업체 장치 패키지 | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| 실장 형 | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| 기본 제품 번호 | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | - | - | - | - |
| 연속 | - | - | - | - |
| 전력 소비 (최대) | - | - | - | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - | - | - | - |
| 작동 온도 | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| FET 특징 | - | - | - | - |
SI7104DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix에 대한 SI7104DN-T1-GE3 PDF 데이터 시트 및 Vishay Siliconix 문서를 다운로드하십시오.
SI7102DN-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / Vishay
SI7106JN-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay
SI7106DN-T1-E3 MOSElectro-Films (EFI) / Vishay
SI7100EDN-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay
SI7101DN-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / Vishay
Si7106DN-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / Vishay
SI7100DN-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / Vishay
SI7106DNSI
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| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |













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