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제품 센터이산 반도체 제품트랜지스터-igbt-어레이

트랜지스터-igbt-어레이

4 제품이 발견되었습니다

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비교 그림 부분 # 제조사 기술 재고 ECAD 모델 RoHS 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) 패키지 기본 제품 번호 NTC 써미스터 입력 입력 정전 용량 (CIES) @ Vce가 VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대) IGBT 유형 연속 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 제조업체 장치 패키지 패키지 / 케이스 구성 전력 - 최대 실장 형 작동 온도 수량
FII40-06D FII40-06D IXYS IGBT H BRIDGE 600V 40A I4PAK5 유품3980 pcs 600 µA Bulk FII40 No Standard 1.6 nF @ 25 V 2.2V @ 15V, 25A NPT - 600 V 40 A ISOPLUS i4-PAC™ i4-Pac™-5 Half Bridge 125 W Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ)
FII30-06D IXYS IGBT H BRIDGE 600V 30A I4PAK5 유품5220 pcs 600 µA Tube FII30 No Standard 1.1 nF @ 25 V 2.4V @ 15V, 20A NPT - 600 V 30 A ISOPLUS i4-PAC™ i4-Pac™-5 Half Bridge 100 W Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ)
FII24N17AH1 IXYS IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5 유품4150 pcs 100 µA Box FII24N17 No Standard 2.4 nF @ 25 V 6V @ 15V, 16A NPT - 1700 V 18 A ISOPLUS i4-PAC™ i4-Pac™-5 Half Bridge 140 W Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ)
FII30-12E IXYS IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5 유품4050 pcs 200 µA Tube FII30 No Standard 1.2 nF @ 25 V 2.9V @ 15V, 20A NPT - 1200 V 33 A ISOPLUS i4-PAC™ i4-Pac™-5 Half Bridge 150 W Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ)
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