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제품 센터이산 반도체 제품트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글IRFIB5N65A
IRFIB5N65A Image
이미지는 참조용으로만 제공되며 제품에 대한 자세한 내용은 사양을 참조하십시오.

IRFIB5N65A - Vishay Siliconix

제조사 제품 모델
IRFIB5N65A
제조사
Vishay / Siliconix
Allelco 제품 모델
32D-IRFIB5N65A
ECAD 모델
부품 설명
MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220-3
상세 설명
포장
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
데이터 시트
IRFIB5N65A, SiHFIB5N65A.pdf
유품: 4100

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수량

규격

IRFIB5N65A 기술 사양
Vishay Siliconix - IRFIB5N65A 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Vishay Siliconix - IRFIB5N65A과 유사한 사양을 가진 부품

제품 속성 속성 값  
제조사 Vishay / Siliconix  
아이디 @ VGS (일) (최대) 4V @ 250µA  
Vgs (최대) ±30V  
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)  
제조업체 장치 패키지 TO-220-3  
연속 -  
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 930mOhm @ 3.1A, 10V  
전력 소비 (최대) 60W (Tc)  
패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab  
패키지 Tube  
제품 속성 속성 값  
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)  
실장 형 Through Hole  
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1417 pF @ 25 V  
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 48 nC @ 10 V  
FET 유형 N-Channel  
FET 특징 -  
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V  
소스 전압에 드레인 (Vdss) 650 V  
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.1A (Tc)  
기본 제품 번호 IRFIB5  

비슷한 규격의 부품

오른쪽 세 부분의 규격은 Vishay Siliconix IRFIB5N65A와 비슷합니다

제품 속성 IRFIB5N65A IRFI9Z34G IRFIB41N15DPBF IRFIB8N50KPBF
제품 모델 IRFIB5N65A IRFI9Z34G IRFIB41N15DPBF IRFIB8N50KPBF
제조사 Vishay Siliconix Vishay Siliconix International Rectifier Vishay Siliconix
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1417 pF @ 25 V 1100 pF @ 25 V 2520 pF @ 25 V 2160 pF @ 25 V
패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
연속 - - HEXFET® -
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 48 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 89 nC @ 10 V
패키지 Tube Tube Bulk Tube
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 930mOhm @ 3.1A, 10V 140mOhm @ 7.2A, 10V 45mOhm @ 25A, 10V 350mOhm @ 4A, 10V
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V 10V 10V 10V
FET 유형 N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
실장 형 Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
아이디 @ VGS (일) (최대) 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5.5V @ 250µA 5V @ 250µA
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
소스 전압에 드레인 (Vdss) 650 V 60 V 150 V 500 V
전력 소비 (최대) 60W (Tc) 42W (Tc) 48W (Tc) 45W (Tc)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.1A (Tc) 12A (Tc) 41A (Tc) 6.7A (Tc)
FET 특징 - - - -
기본 제품 번호 IRFIB5 IRFI9 - IRFIB8
Vgs (최대) ±30V ±20V ±20V ±30V
제조업체 장치 패키지 TO-220-3 TO-220-3 TO-220AB Full-Pak TO-220-3

IRFIB5N65A 데이터 시트 PDF

IRFIB5N65A - Vishay Siliconix에 대한 IRFIB5N65A PDF 데이터 시트 및 Vishay Siliconix 문서를 다운로드하십시오.

데이터 시트
IRFIB5N65A, SiHFIB5N65A.pdf
PCN 노후화/ EOL
SIL-018-2015-Rev-0 20/May/2015.pdf

운송 방식

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일반 국가 물류 시간 참조
지역 국가 물류 시간 (일)
미국 미국 5
브라질 7
유럽 독일 5
영국 4
이탈리아 5
오세아니아 호주 6
뉴질랜드 5
아시아 인도 4
일본 4
중동 이스라엘 6
DHL 및 FedEx 배송 요금 참조
배송 요금 (kg) 참조 DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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IRFIB5N65A

Vishay Siliconix
32D-IRFIB5N65A

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