- Jess***Jones
- 2026년04월17일
데이터 시트
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| 수량 | 단가 | 소계 가격 |
|---|---|---|
| 1+ | $17.159 | $17.16 |
| 210+ | $6.847 | $1,437.87 |
| 510+ | $6.619 | $3,375.69 |
| 990+ | $6.505 | $6,439.95 |
G5S12010BM 기술 사양
Global Power Technology-GPT - G5S12010BM 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Global Power Technology-GPT - G5S12010BM과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | SemiQ | |
| 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우 | 1.7 V @ 5 A | |
| 전압 - 역방향 (Vr) (최대) | 1200 V | |
| 과학 기술 | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-247AB | |
| 속도 | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| 연속 | - | |
| 역 회복 시간 (trr) | 0 ns |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 패키지 / 케이스 | TO-247-3 | |
| 패키지 | Cut Tape (CT) | |
| 작동 온도 - 정션 | -55°C ~ 175°C | |
| 실장 형 | Through Hole | |
| 다이오드 구성 | 1 Pair Common Cathode | |
| 전류 - 누설 Vr에서 역방향 | 50 µA @ 1200 V | |
| 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당) | 19.35A (DC) |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| 상태에 도달하십시오 | REACH info available upon request |
| ECCN | EAR99 |
오른쪽 세 부분의 규격은 Global Power Technology-GPT G5S12010BM와 비슷합니다
| 제품 속성 | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | G5S12010BM | G5S12016BM | G5S12016B | G5S12015L |
| 제조사 | Global Power Technology-GPT | Global Power Technology-GPT | Global Power Technology-GPT | Global Power Technology-GPT |
| 연속 | - | - | - | - |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-247AB | TO-247AB | TO-247AB | TO-247AB |
| 역 회복 시간 (trr) | 0 ns | 0 ns | 0 ns | 0 ns |
| 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당) | 19.35A (DC) | 27.9A (DC) | 27.9A (DC) | - |
| 다이오드 구성 | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | - |
| 과학 기술 | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우 | 1.7 V @ 5 A | 1.7 V @ 8 A | 1.7 V @ 8 A | 1.7 V @ 15 A |
| 패키지 / 케이스 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| 실장 형 | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 전류 - 누설 Vr에서 역방향 | 50 µA @ 1200 V | 50 µA @ 1200 V | 50 µA @ 1200 V | 50 µA @ 1200 V |
| 전압 - 역방향 (Vr) (최대) | 1200 V | 1200 V | 1200 V | 1200 V |
| 패키지 | Cut Tape (CT) | Cut Tape (CT) | Cut Tape (CT) | Cut Tape (CT) |
| 속도 | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 작동 온도 - 정션 | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C |
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G5S12015LGlobal Power Technology-GPTDIODE SIL CARB 1.2KV 55A TO247AB
G5S12015AGlobal Power Technology-GPTDIODE SIL CARB 1.2KV 53A TO220AC
G5S12008AGlobal Power Technology-GPTDIODE SIC 1.2KV 24.8A TO220AC
G5S12010CGlobal Power Technology-GPTDIODE SIL CARB 1.2KV 34.2A TO252
G5S12008PMGlobal Power Technology-GPTDIODE SIC 1.2KV 27.9A TO247AC
G5S12005PGlobal Power Technology Co. LtdSIC SCHOTTKY DIODE 1200V 5A 2-PI
G5S12016BMGlobal Power Technology-GPTSIC SCHOTTKY DIODE 1200V 16A 3-P
G5S12008CGlobal Power Technology-GPTDIODE SIL CARB 1.2KV 28.9A TO252
G5S12015PMGlobal Power Technology-GPTDIODE SIL CARB 1.2KV 55A TO247AC
G5S12020AGlobal Power Technology-GPTDIODE SIC 1.2KV 63.5A TO220AC
G5S12005HGlobal Power Technology Co. LtdSIC SCHOTTKY DIODE 1200V 5A 2-PI
G5S12008DGlobal Power Technology-GPTDIODE SIL CARB 1.2KV 26.1A TO263
G5S12008HGlobal Power Technology-GPTDIODE SIL CARB 1.2KV 16A TO220F
G5S12005DGlobal Power Technology-GPTDIODE SIL CARB 1.2KV 21A TO263
G5S12010DGlobal Power Technology-GPTDIODE SIL CARB 1.2KV 30.9A TO263
G5S12010PMGlobal Power Technology-GPTDIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO247AC
G5S12010AGlobal Power Technology-GPTDIODE SIL CARB 1.2KV 37A TO220AC
G5S12016BGlobal Power Technology-GPTSIC SCHOTTKY DIODE 1200V 16A 3-P귀하의 이메일 주소는 게시되지 않습니다.
| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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