- Jess***Jones
- 2026년04월17일
데이터 시트
STR1P2UH7.pdfPCN 노후화/ EOL
Mult Devices OBS 07/Feb/2018.pdfSTR1P2UH7 기술 사양
STMicroelectronics - STR1P2UH7 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 STMicroelectronics - STR1P2UH7과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | STMicroelectronics | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±8V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 연속 | STripFET™ H7 | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 100mOhm @ 700mA, 4.5V | |
| 전력 소비 (최대) | 350mW (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 510 pF @ 10 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 4.8 nC @ 4.5 V | |
| FET 유형 | P-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.8V, 4.5V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.4A (Ta) | |
| 기본 제품 번호 | STR1 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | ROHS3 준수 |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
오른쪽 세 부분의 규격은 STMicroelectronics STR1P2UH7와 비슷합니다
| 제품 속성 | ![]() |
![]() |
![]() |
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | STR1P2UH7 | STR10100SS_AY_00301 | STR11006 | STR16S08P |
| 제조사 | STMicroelectronics | Panjit International Inc. | Sanken Electric Co., Ltd. | IR |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | Schottky | - | - |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.4A (Ta) | - | - | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 510 pF @ 10 V | - | - | - |
| 제조업체 장치 패키지 | SOT-23-3 | DO-201AD | - | - |
| Vgs (최대) | ±8V | - | - | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 100mOhm @ 700mA, 4.5V | - | - | - |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 4.8 nC @ 4.5 V | - | - | - |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1V @ 250µA | - | - | - |
| 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DO-201AD, Axial | - | - |
| FET 유형 | P-Channel | - | - | - |
| 실장 형 | Surface Mount | Through Hole | - | - |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | - | - |
| 연속 | STripFET™ H7 | - | - | - |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20 V | - | - | - |
| 기본 제품 번호 | STR1 | STR10100 | - | - |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) | - | - | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.8V, 4.5V | - | - | - |
| 전력 소비 (최대) | 350mW (Tc) | - | - | - |
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STR10100SS_AY_00301Panjit International Inc.DIODE SCHOTTKY 100V 10A DO201AD
STR11006Sanken Electric Co., Ltd.
STR16S08PIRIGBT Module
STR2005Sanken Electric Co., Ltd.
STR20100LCT_T0_00001Panjit International Inc.100V ,SCHOTTKY,TO-220AB,20A
STR1036Y-AAYAUK
STR20100LCB_R2_00001Panjit International Inc.100V ,SCHOTTKY,TO-263,20A
STR20100LFCT_T0_00001Panjit International Inc.100V ,SCHOTTKY,ITO-220AB,20A
STR15100SS_AY_00301Panjit International Inc.DIODE SCHOTTKY 100V 15A DO201AD
STR2012Sanken Electric Co., Ltd.
STR10R167-Q3AMD Xilinx
STR16S10PIRIGBT Module
STR20012Sanken Electric Co., Ltd.
STR15100YD_L2_00001Panjit International Inc.100V ,SCHOTTKY,TO-252AA,15A
STR20100YD_L2_00001Panjit International Inc.100V ,SCHOTTKY,TO-252AA,20A귀하의 이메일 주소는 게시되지 않습니다.
| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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