- Jess***Jones
- 2026년04월17일
데이터 시트
ST(FW,P,W)6N120K3.pdfPCN 노후화/ EOL
Mult Devices OBS 22/Jan/2018.pdfPCN 디자인/사양
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdfPCN 어셈블리/원산지
TO-220 Capacity Expansion 18/Jun/2013.pdfPCN 포장
Traceability 06/Mar/2017.pdf더 나은 가격을 원하십니까?
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| 수량 | 단가 | 소계 가격 |
|---|---|---|
| 1+ | $7.011 | $7.01 |
| 10+ | $6.233 | $62.33 |
| 30+ | $5.758 | $172.74 |
| 100+ | $5.36 | $536.00 |
STP6N120K3 기술 사양
STMicroelectronics - STP6N120K3 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 STMicroelectronics - STP6N120K3과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | STMicroelectronics | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 100µA | |
| Vgs (최대) | ±30V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-220 | |
| 연속 | SuperMESH3™ | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 2.4Ohm @ 2.5A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 150W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 | |
| 패키지 | Tube |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Through Hole | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1050 pF @ 100 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 34 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 1200 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 6A (Tc) | |
| 기본 제품 번호 | STP6N |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | ROHS3 준수 |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
오른쪽 세 부분의 규격은 STMicroelectronics STP6N120K3와 비슷합니다
| 제품 속성 | ||||
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | STP6N120K3 | STP6N52K3 | STP6N60M2 | STP6N62K3 |
| 제조사 | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 실장 형 | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-220 | TO-220 | TO-220 | TO-220 |
| 패키지 | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 연속 | SuperMESH3™ | SuperMESH3™ | MDmesh™ II Plus | SuperMESH3™ |
| Vgs (최대) | ±30V | ±30V | ±25V | ±30V |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 100µA | 4.5V @ 50µA | 4V @ 250µA | 4.5V @ 50µA |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 1200 V | 525 V | 600 V | 620 V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 2.4Ohm @ 2.5A, 10V | 1.2Ohm @ 2.5A, 10V | 1.2Ohm @ 2.25A, 10V | 1.2Ohm @ 2.8A, 10V |
| 기본 제품 번호 | STP6N | STP6N | STP6N60 | STP6N62 |
| 전력 소비 (최대) | 150W (Tc) | 70W (Tc) | 60W (Tc) | 90W (Tc) |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 34 nC @ 10 V | 26 nC @ 10 V | 8 nC @ 10 V | 34 nC @ 10 V |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 6A (Tc) | 5A (Tc) | 4.5A (Tc) | 5.5A (Tc) |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1050 pF @ 100 V | 670 pF @ 50 V | 232 pF @ 100 V | 875 pF @ 50 V |
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STP6635GH.VBSEMI
STP65NF06 P65NF06STMicroelectronics
STP6N60FI P6N60FISTMicroelectronics
STP6623STANSON
STP6N120K3 MOSSTMicroelectronics
STP6A60SEMWELL
STP6N60M2 MOSSTMicroelectronics
STP6N60STMicroelectronics
STP65NF06 MOSSTMicroelectronics
STP6621STANSON
STP6635GHSTANSONTECH
STP6625STANSON
STP6N60FISTMicroelectronics
STP6N25STMicroelectronics
STP6681SEMTRON-MICRO귀하의 이메일 주소는 게시되지 않습니다.
| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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