- Jess***Jones
- 2026년04월17일
데이터 시트
STx90N4F3.pdfSTI90N4F3 기술 사양
STMicroelectronics - STI90N4F3 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 STMicroelectronics - STI90N4F3과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | STMicroelectronics | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±20V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | I2PAK | |
| 연속 | STripFET™ III | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 6.5mOhm @ 40A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 110W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| 패키지 | Tube |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 실장 형 | Through Hole | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2200 pF @ 25 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 54 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 40 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 80A (Tc) | |
| 기본 제품 번호 | STI9 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | ROHS3 준수 |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
오른쪽 세 부분의 규격은 STMicroelectronics STI90N4F3와 비슷합니다
| 제품 속성 | ![]() |
![]() |
||
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | STI90N4F3 | STI8N65M5 | STI8036 | STIB1560DM2T-LZ |
| 제조사 | STMicroelectronics | STMicroelectronics | SUNTO | STMicroelectronics |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 54 nC @ 10 V | 15 nC @ 10 V | - | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 10V | - | - |
| 제조업체 장치 패키지 | I2PAK | I2PAK | - | - |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 150°C (TJ) | - | - |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | - | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2200 pF @ 25 V | 690 pF @ 100 V | - | - |
| 기본 제품 번호 | STI9 | STI8 | - | STIB1560 |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | - | - |
| 연속 | STripFET™ III | MDmesh™ V | - | SLLIMM - 2nd |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 6.5mOhm @ 40A, 10V | 600mOhm @ 3.5A, 10V | - | - |
| 패키지 / 케이스 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | - | 26-PowerDIP Module (1.146", 29.10mm) |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| Vgs (최대) | ±20V | ±25V | - | - |
| 패키지 | Tube | Tube | - | Bulk |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 80A (Tc) | 7A (Tc) | - | - |
| 실장 형 | Through Hole | Through Hole | - | Through Hole |
| 전력 소비 (최대) | 110W (Tc) | 70W (Tc) | - | - |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 40 V | 650 V | - | - |
STI90N4F3 - STMicroelectronics에 대한 STI90N4F3 PDF 데이터 시트 및 STMicroelectronics 문서를 다운로드하십시오.
STI8036SUNTO
STIB1560DM2T-LZSTMicroelectronicsDISCRETE
STI9284-28JSUNTO
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STIB1560DM2-LSTMicroelectronicsPTD HIGH VOLTAGE
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STI8039SUNTO
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STI8070BSTI귀하의 이메일 주소는 게시되지 않습니다.
| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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