데이터 시트
STx(I)4N62K3.pdfPCN 디자인/사양
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdfPCN 어셈블리/원산지
TO-220 Capacity Expansion 18/Jun/2013.pdfSTI4N62K3 기술 사양
STMicroelectronics - STI4N62K3 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 STMicroelectronics - STI4N62K3과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | STMicroelectronics | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4.5V @ 50µA | |
| Vgs (최대) | ±30V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | I2PAK | |
| 연속 | SuperMESH3™ | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 2Ohm @ 1.9A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 70W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| 패키지 | Tube |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Through Hole | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 550 pF @ 50 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 22 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 620 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3.8A (Tc) | |
| 기본 제품 번호 | STI4N62 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | ROHS3 준수 |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
오른쪽 세 부분의 규격은 STMicroelectronics STI4N62K3와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | STI4N62K3 | STI42N65M5 | STI47N60DM6AG | STI45N10F7 |
| 제조사 | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 550 pF @ 50 V | 4650 pF @ 100 V | 2350 pF @ 100 V | 1640 pF @ 50 V |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 620 V | 650 V | 600 V | 100 V |
| 패키지 | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3.8A (Tc) | 33A (Tc) | 36A (Tc) | 45A (Tc) |
| 실장 형 | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4.5V @ 50µA | 5V @ 250µA | 4.75V @ 250µA | 4.5V @ 250µA |
| 패키지 / 케이스 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 22 nC @ 10 V | 100 nC @ 10 V | 55 nC @ 10 V | 25 nC @ 10 V |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 2Ohm @ 1.9A, 10V | 79mOhm @ 16.5A, 10V | 80mOhm @ 18A, 10V | 18mOhm @ 22.5A, 10V |
| Vgs (최대) | ±30V | ±25V | ±25V | ±20V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 연속 | SuperMESH3™ | MDmesh™ V | Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM6 | DeepGATE™, STripFET™ VII |
| 전력 소비 (최대) | 70W (Tc) | 190W (Tc) | 250W (Tc) | 60W (Tc) |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 기본 제품 번호 | STI4N62 | STI42N | STI47 | STI45N |
| 제조업체 장치 패키지 | I2PAK | I2PAK | I2PAK (TO-262) | I2PAK (TO-262) |
STI4N62K3 - STMicroelectronics에 대한 STI4N62K3 PDF 데이터 시트 및 STMicroelectronics 문서를 다운로드하십시오.
STI5100GUCSTMicroelectronicsSTI42N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 33A I2PAKSTI47N60DM6AGSTMicroelectronicsPOWER TRANSISTORSSTI4500ACVBBESTMicroelectronicsSTI4600BCVAA2STMicroelectronicsSTI5100TUCSTMicroelectronicsSTI4600STMicroelectronicsSTI5100BUCSTMicroelectronics
STI446-100/06NASTI5100RUCSTI5100RUCSTI5100HUCSTMicroelectronicsSTI5100KUCTSTMicroelectronicsSTI5100LUCTSTMicroelectronicsSTI4600BCUSTMicroelectronicsSTI5100QUCSTMicroelectronicsSTI4600BCVSTMicroelectronicsSTI5100WUCSTMicroelectronicsSTI45N10F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 45A I2PAK귀하의 이메일 주소는 게시되지 않습니다.
| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
더 나은 가격을 원하십니까? CART 및 에 추가하여 RFQ 을 제출하십시오. 즉시 연락하겠습니다.