- Jess***Jones
- 2026년04월17일
데이터 시트
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| 수량 | 단가 | 소계 가격 |
|---|---|---|
| 1+ | $10.658 | $10.66 |
SCT040H65G3AG 기술 사양
STMicroelectronics - SCT040H65G3AG 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 STMicroelectronics - SCT040H65G3AG과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | STMicroelectronics | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4.2V @ 1mA | |
| Vgs (최대) | +18V, -5V | |
| 과학 기술 | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | H2PAK-7 | |
| 연속 | Automotive, AEC-Q101 | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 55mOhm @ 20A, 18V | |
| 전력 소비 (최대) | 221W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 920 pF @ 400 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 39.5 nC @ 18 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 15V, 18V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 650 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 30A (Tc) | |
| 기본 제품 번호 | SCT040 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | ROHS3 준수 |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 3 (168 Hours) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
오른쪽 세 부분의 규격은 STMicroelectronics SCT040H65G3AG와 비슷합니다
| 제품 속성 | ![]() |
![]() |
||
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | SCT040H65G3AG | SCT055HU65G3AG | SCT1000N170 | SCT040HU65G3AG |
| 제조사 | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| Vgs (최대) | +18V, -5V | +22V, -10V | +22V, -10V | +22V, -10V |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4.2V @ 1mA | 4.2V @ 1mA | 3.5V @ 1mA | 4.2V @ 1mA |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 15V, 18V | 15V, 18V | 20V | 15V, 18V |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 200°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 650 V | 650 V | 1700 V | 650 V |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| 기본 제품 번호 | SCT040 | SCT055 | SCT1000 | SCT040 |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 920 pF @ 400 V | 721 pF @ 400 V | 133 pF @ 1000 V | 920 pF @ 400 V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 30A (Tc) | 30A (Tc) | 7A (Tc) | 30A (Tc) |
| 제조업체 장치 패키지 | H2PAK-7 | HU3PAK | HiP247™ | HU3PAK |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 39.5 nC @ 18 V | 29 nC @ 18 V | 13.3 nC @ 20 V | 39.5 nC @ 18 V |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | TO-247-3 | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 55mOhm @ 20A, 18V | 72mOhm @ 15A, 18V | 1.3Ohm @ 3A, 20V | 55mOhm @ 20A, 18V |
| 전력 소비 (최대) | 221W (Tc) | 185W (Tc) | 96W (Tc) | 221W (Tc) |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| 연속 | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 | - | Automotive, AEC-Q101 |
| 과학 기술 | SiCFET (Silicon Carbide) | SiCFET (Silicon Carbide) | SiCFET (Silicon Carbide) | SiCFET (Silicon Carbide) |
| FET 특징 | - | - | - | - |
SCT040H65G3AG - STMicroelectronics에 대한 SCT040H65G3AG PDF 데이터 시트 및 STMicroelectronics 문서를 다운로드하십시오.
SCT055HU65G3AGSTMicroelectronicsAUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
SCT105K122A3B28
SCT070HU120G3AG
SCT040HU65G3AGSTMicroelectronicsAUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
SCT100N65G2ASTMicroelectronics귀하의 이메일 주소는 게시되지 않습니다.
| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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