데이터 시트
APTM20DAM10TG.pdfHTML 데이터 시트
Power Products Catalog.pdfAPTM20DAM10TG 기술 사양
Microsemi Corporation - APTM20DAM10TG 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Microsemi Corporation - APTM20DAM10TG과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Microsemi | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 5mA | |
| Vgs (최대) | ±30V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | SP4 | |
| 연속 | - | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 12mOhm @ 87.5A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 694W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | SP4 | |
| 패키지 | Bulk |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Chassis Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 13700 pF @ 25 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 224 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 200 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 175A (Tc) |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
오른쪽 세 부분의 규격은 Microsemi Corporation APTM20DAM10TG와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | APTM20DAM10TG | APTM20DAM05G | APTM20DAM04G | APTM20DAM08TG |
| 제조사 | Microsemi Corporation | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| 패키지 | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 224 nC @ 10 V | 448 nC @ 10 V | 560 nC @ 10 V | 280 nC @ 10 V |
| 패키지 / 케이스 | SP4 | SP6 | SP6 | SP4 |
| 제조업체 장치 패키지 | SP4 | SP6 | SP6 | SP4 |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 175A (Tc) | 317A (Tc) | 372A (Tc) | 208A (Tc) |
| Vgs (최대) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| 실장 형 | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 12mOhm @ 87.5A, 10V | 6mOhm @ 158.5A, 10V | 5mOhm @ 186A, 10V | 10mOhm @ 104A, 10V |
| 전력 소비 (최대) | 694W (Tc) | 1136W (Tc) | 1250W (Tc) | 781W (Tc) |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 200 V | 200 V | 200 V | 200 V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 13700 pF @ 25 V | 27400 pF @ 25 V | 28900 pF @ 25 V | 14400 pF @ 25 V |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 5mA | 5V @ 10mA | 5V @ 10mA | 5V @ 5mA |
| 연속 | - | - | - | - |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
APTM20DAM10TG - Microsemi Corporation에 대한 APTM20DAM10TG PDF 데이터 시트 및 Microsemi Corporation 문서를 다운로드하십시오.
APTM20AM06SGMicrochip TechnologyMOSFET 2N-CH 200V 300A SP6
APTM20DHM16T3GMicrosemi CorporationMOSFET 2N-CH 200V 104A SP3APTM20AM05FTGMicrosemi CorporationMOSFET 2N-CH 200V 333A SP4APTM20DUM05GMicrochip TechnologyMOSFET 2N-CH 200V 317A SP6APTM20AM08FTGMicrochip TechnologyMOSFET 2N-CH 200V 208A SP4APTM20DAM05GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 200V 317A SP6APTM20DAM04GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 200V 372A SP6APTM20DHM08GMicrosemi CorporationMOSFET 2N-CH 200V 208A SP6APTM20DHM16TGMicrosemi CorporationMOSFET 2N-CH 200V 104A SP4APTM20DAM08TGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 200V 208A SP4APTM20DHM10GMicrosemi CorporationMOSFET 2N-CH 200V 175A SP6APTM20AM10STGMicrochip TechnologyMOSFET 2N-CH 200V 175A SP4APTM20DHM20TGMicrosemi CorporationMOSFET 2N-CH 200V 89A SP4APTM20DUM08TGMicrochip TechnologyMOSFET 2N-CH 200V 208A SP4APTM20DUM04GMicrochip TechnologyMOSFET 2N-CH 200V 372A SP6APTM20DUM05TGMicrosemi CorporationMOSFET 2N-CH 200V 333A SP8APTM20AM05FGMicrochip TechnologyMOSFET 2N-CH 200V 317A SP6APTM20AM10FTGMicrochip TechnologyMOSFET 2N-CH 200V 175A SP4귀하의 이메일 주소는 게시되지 않습니다.
| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
더 나은 가격을 원하십니까? CART 및 에 추가하여 RFQ 을 제출하십시오. 즉시 연락하겠습니다.