- Jess***Jones
- 2026년04월17일
PCN 기타
Integration 13/May/2020.pdfPCN 어셈블리/원산지
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| 수량 | 단가 | 소계 가격 |
|---|---|---|
| 1+ | $29.62 | $29.62 |
| 200+ | $11.819 | $2,363.80 |
| 500+ | $11.424 | $5,712.00 |
| 1000+ | $11.229 | $11,229.00 |
APT75F50L 기술 사양
Microchip Technology - APT75F50L 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Microchip Technology - APT75F50L과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Microchip Technology | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 2.5mA | |
| Vgs (최대) | ±30V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-264 [L] | |
| 연속 | POWER MOS 8™ | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 75mOhm @ 37A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 1040W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
| 패키지 | Tube |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Through Hole | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 11600 pF @ 25 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 290 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 500 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 75A (Tc) | |
| 기본 제품 번호 | APT75F50 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | ROHS3 준수 |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
오른쪽 세 부분의 규격은 Microchip Technology APT75F50L와 비슷합니다
| 제품 속성 | ![]() |
![]() |
![]() |
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | APT75F50L | APT75F50B2 | APT75GN120J | APT75GN60BG |
| 제조사 | Microchip Technology | Microchip Technology | Microsemi Corporation | Microchip Technology |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 500 V | 500 V | - | - |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 패키지 / 케이스 | TO-264-3, TO-264AA | TO-247-3 Variant | ISOTOP | TO-247-3 |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-264 [L] | T-MAX™ [B2] | ISOTOP® | TO-247 [B] |
| 패키지 | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 75A (Tc) | 75A (Tc) | - | - |
| 기본 제품 번호 | APT75F50 | APT75F50 | - | APT75GN60 |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 75mOhm @ 37A, 10V | 75mOhm @ 37A, 10V | - | - |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 290 nC @ 10 V | 290 nC @ 10 V | - | - |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 2.5mA | 5V @ 2.5mA | - | - |
| 연속 | POWER MOS 8™ | POWER MOS 8™ | - | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 10V | - | - |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
| Vgs (최대) | ±30V | ±30V | - | - |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 11600 pF @ 25 V | 11600 pF @ 25 V | - | - |
| 실장 형 | Through Hole | Through Hole | Chassis Mount | Through Hole |
| 전력 소비 (최대) | 1040W (Tc) | 1040W (Tc) | - | - |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | - | - |
APT75F50L - Microchip Technology에 대한 APT75F50L PDF 데이터 시트 및 Microchip Technology 문서를 다운로드하십시오.
APT75GN60BGMicrochip TechnologyIGBT 600V 155A 536W TO247
APT75DQ120BGMicrochip TechnologyDIODE GP 1.2KV 75A TO247
APT75GN60BDQ2GMicrochip TechnologyIGBT FIELDSTOP SINGLE 600V 75A T
APT75DQ60SGMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 75A D3PAK
APT75GN120B2GMicrochip TechnologyIGBT 1200V 200A 833W TMAX
APT75DQ120SGMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 75A D3PAK
APT75DQ60BGMicrochip TechnologyDIODE GP 600V 75A TO247
APT75DQ100BMicrosemi
APT75GN60B2DQ3GMicrosemi CorporationIGBT 600V 155A 536W TO264
APT75GN120LGMicrochip TechnologyIGBT 1200V 200A 833W TO264
APT75GF120JDF3MicrosemiIGBT Module
APT75F50B2Microchip TechnologyMOSFET N-CH 500V 75A T-MAX
APT75DQ100BGMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 1KV 75A TO247귀하의 이메일 주소는 게시되지 않습니다.
| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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