- Jess***Jones
- 2026년04월17일
PCN 어셈블리/원산지
Fab Site 27/Jul/2022.pdfPCN 기타
Integration 13/May/2020.pdfHTML 데이터 시트
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| 수량 | 단가 | 소계 가격 |
|---|---|---|
| 1+ | $93.151 | $93.15 |
| 200+ | $37.169 | $7,433.80 |
| 500+ | $35.926 | $17,963.00 |
| 1000+ | $35.313 | $35,313.00 |
APT100M50J 기술 사양
Microchip Technology - APT100M50J 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Microchip Technology - APT100M50J과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Microchip Technology | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 5mA | |
| Vgs (최대) | ±30V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | SOT-227 | |
| 연속 | - | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 38mOhm @ 75A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 960W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 패키지 | Tube |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Chassis Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 24600 pF @ 25 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 620 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 500 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 103A (Tc) | |
| 기본 제품 번호 | APT100 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | ROHS3 준수 |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
오른쪽 세 부분의 규격은 Microchip Technology APT100M50J와 비슷합니다
| 제품 속성 | ![]() |
![]() |
||
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | APT100M50J | APT106N60B2C6 | APT100MC120JCU2 | APT106N60LC6 |
| 제조사 | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| 전력 소비 (최대) | 960W (Tc) | 833W (Tc) | 600W (Tc) | 833W (Tc) |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 5mA | 3.5V @ 3.4mA | 2.3V @ 2mA | 3.5V @ 3.4mA |
| 패키지 | Tube | Tube | Bulk | Tube |
| 실장 형 | Chassis Mount | Through Hole | Chassis Mount | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | TO-247-3 Variant | SOT-227-4, miniBLOC | TO-264-3, TO-264AA |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | SiCFET (Silicon Carbide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 10V | 20V | 10V |
| Vgs (최대) | ±30V | ±20V | +25V, -10V | ±20V |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 기본 제품 번호 | APT100 | APT106 | APT100 | APT106 |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 24600 pF @ 25 V | 8390 pF @ 25 V | 5960 pF @ 1000 V | 8390 pF @ 25 V |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 제조업체 장치 패키지 | SOT-227 | T-MAX™ [B2] | SOT-227 | TO-264 (L) |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 38mOhm @ 75A, 10V | 35mOhm @ 53A, 10V | 17mOhm @ 100A, 20V | 35mOhm @ 53A, 10V |
| 연속 | - | CoolMOS™ | - | CoolMOS™ |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 103A (Tc) | 106A (Tc) | 143A (Tc) | 106A (Tc) |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 500 V | 600 V | 1200 V | 600 V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 620 nC @ 10 V | 308 nC @ 10 V | 360 nC @ 20 V | 308 nC @ 10 V |
APT100M50J - Microchip Technology에 대한 APT100M50J PDF 데이터 시트 및 Microchip Technology 문서를 다운로드하십시오.
APT106N60B2C6Microchip TechnologyMOSFET N-CH 600V 106A T-MAX
APT102GA60LMicrochip TechnologyIGBT 600V 183A 780W TO264
APT100GN60LDQ4GMicrochip TechnologyIGBT 600V 229A 625W TO264
APT100S20BGMicrochip TechnologyDIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247
APT102GA60B2Microchip TechnologyIGBT 600V 183A 780W TO247
APT105-R95MOGAPT
APT100S20BMicrosemi
APT106N60LC6Microchip TechnologyMOSFET N-CH 600V 106A TO264
APT100S20LCTGMicrochip TechnologyDIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264
APT100GT120JRDLAPTIGBT Module
APT100GT60B2RGMicrochip TechnologyIGBT 600V 148A 500W SOT247귀하의 이메일 주소는 게시되지 않습니다.
| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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