- Jess***Jones
- 2026년04월17일
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| 수량 | 단가 | 소계 가격 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.20 | $0.20 |
| 10+ | $0.173 | $1.73 |
| 30+ | $0.16 | $4.80 |
| 100+ | $0.146 | $14.60 |
| 500+ | $0.14 | $70.00 |
| 1000+ | $0.136 | $136.00 |
IRFH8334TRPBF 기술 사양
Infineon Technologies - IRFH8334TRPBF 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Infineon Technologies - IRFH8334TRPBF과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Infineon Technologies | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.35V @ 25µA | |
| Vgs (최대) | ±20V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | PQFN (5x6) | |
| 연속 | HEXFET® | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 9mOhm @ 20A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 3.2W (Ta), 30W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerTDFN | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1180 pF @ 10 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 14A (Ta), 44A (Tc) | |
| 기본 제품 번호 | IRFH8334 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | ROHS3 준수 |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
오른쪽 세 부분의 규격은 Infineon Technologies IRFH8334TRPBF와 비슷합니다
| 제품 속성 | ![]() |
![]() |
![]() |
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | IRFH8334TR2PBF | IRFH8337TRPBF | IRFH8337TR2PBF | IRFH8330TRPBF |
| 제조사 | Infineon Technologies | International Rectifier | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 패키지 | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| 제조업체 장치 패키지 | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Vgs (최대) | - | - | - | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | - | - | - | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | - | - | - | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - | - | - | - |
| FET 유형 | - | - | - | - |
| 실장 형 | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | - | - | - | - |
| 전력 소비 (최대) | - | - | - | - |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | - | - | - | - |
| 패키지 / 케이스 | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | - | - | - | - |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | - | - | - | - |
| 과학 기술 | - | - | - | - |
| 연속 | - | - | - | - |
| 기본 제품 번호 | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| 작동 온도 | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
IRFH8334TRPBF - Infineon Technologies에 대한 IRFH8334TRPBF PDF 데이터 시트 및 Infineon Technologies 문서를 다운로드하십시오.
IRFH8325TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 17A 5X6 PQFN
IRFH8337TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 30V 12A/35A PQFN
IRFH8337IR
IRFH8337TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN
IRFH9310TR2PBFIR
IRFH8334IR
IRFH9310TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN
IRFH8342TRPBF.IR
IRFH8334TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 12A 5X6 PQFN
IRFH8325TR2PBF MOSIR
IRFHE4250DTRPBFInternational RectifierHEXFET POWER MOSFET
IRFH8334TRPbF MOSIR
IRFH8334PBF-1IR
IRFH8333TR2PBFIRF
IRFH8330TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 14A 5X6 PQFN
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| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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