- Jess***Jones
- 2026년04월17일
데이터 시트
STD1HN60K3, STU1HN60K3.pdfPCN 노후화/ EOL
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| 수량 | 단가 | 소계 가격 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.831 | $0.83 |
| 225+ | $0.332 | $74.70 |
| 525+ | $0.321 | $168.53 |
| 975+ | $0.316 | $308.10 |
STU1HN60K3 기술 사양
STMicroelectronics - STU1HN60K3 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 STMicroelectronics - STU1HN60K3과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | STMicroelectronics | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4.5V @ 50µA | |
| Vgs (최대) | ±30V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-251 (IPAK) | |
| 연속 | SuperMESH3™ | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 8Ohm @ 600mA, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 27W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| 패키지 | Tube |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Through Hole | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 140 pF @ 50 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 9.5 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 600 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.2A (Tc) | |
| 기본 제품 번호 | STU1HN60 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | ROHS3 준수 |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
오른쪽 세 부분의 규격은 STMicroelectronics STU1HN60K3와 비슷합니다
| 제품 속성 | ||||
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | STU1HN60K3 | STU16N65M2 | STU16N65M5 | STU16N60M2 |
| 제조사 | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 연속 | SuperMESH3™ | MDmesh™ M2 | MDmesh™ V | MDmesh™ M2 |
| 기본 제품 번호 | STU1HN60 | STU16 | STU16N | STU16N |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 패키지 | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 600 V | 650 V | 650 V | 600 V |
| Vgs (최대) | ±30V | ±25V | ±25V | ±25V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 9.5 nC @ 10 V | 19.5 nC @ 10 V | 45 nC @ 10 V | 19 nC @ 10 V |
| 전력 소비 (최대) | 27W (Tc) | 110W (Tc) | 90W (Tc) | 110W (Tc) |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 실장 형 | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.2A (Tc) | 11A (Tc) | 12A (Tc) | 12A (Tc) |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4.5V @ 50µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-251 (IPAK) | TO-251 (IPAK) | TO-251 (IPAK) | TO-251 (IPAK) |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 8Ohm @ 600mA, 10V | 360mOhm @ 5.5A, 10V | 299mOhm @ 6A, 10V | 320mOhm @ 6A, 10V |
| 패키지 / 케이스 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 140 pF @ 50 V | 718 pF @ 100 V | 1250 pF @ 100 V | 700 pF @ 100 V |
STU1HN60K3 - STMicroelectronics에 대한 STU1HN60K3 PDF 데이터 시트 및 STMicroelectronics 문서를 다운로드하십시오.
STU1855PL
STU20L01ASAMHOP
STU2030PLS MOSSAMHOP
STU15L01SAMHOP
STU16L01SAMHOP
STU1955NLSTU
STU20N15VBsemi
STU2030PVBSEMI
STU1855PLSVBSEMI
STU20L01SAMHOP
STU2071B1STMicroelectronics
STU15L01 MOSSAMHOP
STU2240NLSAMHOP
STU2030PLSSAMHOP
STU2040PLSAMHOP귀하의 이메일 주소는 게시되지 않습니다.
| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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