- Jess***Jones
- 2026년04월17일
데이터 시트
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| 수량 | 단가 | 소계 가격 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.264 | $2.26 |
| 200+ | $0.903 | $180.60 |
| 500+ | $0.873 | $436.50 |
| 1000+ | $0.858 | $858.00 |
STL105DN4LF7AG 기술 사양
STMicroelectronics - STL105DN4LF7AG 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 STMicroelectronics - STL105DN4LF7AG과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | STMicroelectronics | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | PowerFlat™ (5x6) | |
| 연속 | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 4.5mOhm @ 12A, 10V | |
| 전력 - 최대 | 94W | |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerVDFN | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1594pF @ 25V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 27.5nC @ 10V | |
| FET 특징 | - | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 40V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 40A (Tc) | |
| 구성 | 2 N-Channel (Dual) | |
| 기본 제품 번호 | STL105 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | ROHS3 준수 |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
오른쪽 세 부분의 규격은 STMicroelectronics STL105DN4LF7AG와 비슷합니다
| 제품 속성 | ![]() |
![]() |
![]() |
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | STL105DN4LF7AG | STL105NS3LLH7 | STL100N8F7 | STL065M6SN |
| 제조사 | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 40V | 30 V | 80 V | - |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - |
| 연속 | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 | DeepGATE™, STripFET™ VII | STripFET™ | - |
| 기본 제품 번호 | STL105 | STL105 | STL100 | STL06 |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 40A (Tc) | 105A (Tc) | 100A (Tc) | - |
| 전력 - 최대 | 94W | - | - | - |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | - |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 27.5nC @ 10V | 13.7 nC @ 4.5 V | 46.8 nC @ 10 V | - |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 4.5mOhm @ 12A, 10V | 3.9mOhm @ 13.5A, 10V | 6.1mOhm @ 10A, 10V | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1594pF @ 25V | 2110 pF @ 25 V | 3435 pF @ 40 V | - |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 250µA | 1.2V @ 1mA (Min) | 4.5V @ 250µA | - |
| 제조업체 장치 패키지 | PowerFlat™ (5x6) | PowerFlat™ (5x6) | PowerFlat™ (5x6) | - |
| 구성 | 2 N-Channel (Dual) | - | - | - |
STL105DN4LF7AG - STMicroelectronics에 대한 STL105DN4LF7AG PDF 데이터 시트 및 STMicroelectronics 문서를 다운로드하십시오.
STL100N8F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 80V 100A POWERFLAT
STL065M6SNTE Connectivity Aerospace, Defense and MarineSTL065M6SN = THRU-HOLE
STL105N8F7AGSTMicroelectronics
STL10DN15F3STMicroelectronics
STL100N12F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 120V 100A POWERFLAT
STL105N4LF7HTSTMicroelectronics
STL100N1VH5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 12V 100A POWERFLAT
STL10HN65M2STMicroelectronicsPOWER MOSFET
STL065SC2DC006NTE Connectivity Aerospace, Defense and MarineCONN D-TYPE RCPT 65POS
STL100N6LF6STMicroelectronicsMOSFET N CH 60V 100A PWRFLAT 5X6
STL100NH3LL MOSSTMicroelectronics
STL10LN80K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 6A PWRFLAT VHV
STL100N10F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 80A POWERFLAT
STL105N4LF7AGSTMicroelectronics
STL105NS3LLH7 MOSSTMicroelectronics귀하의 이메일 주소는 게시되지 않습니다.
| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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