이미지는 참조용으로만 제공되며 제품에 대한 자세한 내용은 사양을 참조하십시오.
IRF710 - onsemi
- 제조사 제품 모델
- IRF710
- 제조사
- onsemi
- Allelco 제품 모델
- 32D-IRF710
- ECAD 모델
- 부품 설명
- MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
- 상세 설명
- 포장
- TO-220-3
- 데이터 시트
IRF710.pdf
- 유품: 78600
IRF710 기술 사양
onsemi - IRF710 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 onsemi - IRF710과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | onsemi | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±20V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 연속 | - | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 3.6Ohm @ 1.2A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 36W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 | |
| 패키지 | Tube |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Through Hole | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 170 pF @ 25 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 17 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 400 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2A (Tc) |
오른쪽 세 부분의 규격은 onsemi IRF710와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | IRF710 | IRF6894MTRPBF | IRF6892STRPBF | IRF710 |
| 제조사 | onsemi | International Rectifier | International Rectifier | Vishay Siliconix |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-220AB | DIRECTFET™ MX | DIRECTFET™ S3C | TO-220AB |
| 연속 | - | HEXFET® | HEXFET® | - |
| 실장 형 | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| 전력 소비 (최대) | 36W (Tc) | 2.1W (Ta), 54W (Tc) | 2.1W (Ta), 42W (Tc) | 36W (Tc) |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 | DirectFET™ Isometric MX | DirectFET™ Isometric S3C | TO-220-3 |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2A (Tc) | 32A (Ta), 160A (Tc) | 28A (Ta), 125A (Tc) | 2A (Tc) |
| Vgs (최대) | ±20V | ±16V | ±16V | ±20V |
| FET 특징 | - | Schottky Diode (Body) | - | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 10V |
| 패키지 | Tube | Bulk | Bulk | Tube |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 17 nC @ 10 V | 39 nC @ 4.5 V | 25 nC @ 4.5 V | 17 nC @ 10 V |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | 2.1V @ 100µA | 2.1V @ 50µA | 4V @ 250µA |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 400 V | 25 V | 25 V | 400 V |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 3.6Ohm @ 1.2A, 10V | 1.3mOhm @ 33A, 10V | 1.7mOhm @ 28A, 10V | 3.6Ohm @ 1.2A, 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 170 pF @ 25 V | 4160 pF @ 13 V | 2510 pF @ 13 V | 170 pF @ 25 V |
IRF7101PBFInternational RectifierHEXFET POWER MOSFETIRF6894MTRPBFInternational Rectifier25V 999A DIRECTFET-LVIRF7101PBF MOSIRIRF6892STRPBFInternational Rectifier25V 999A DIRECTFET-LVIRF7101IRIRF6894MTRPBF MOSIRIRF710Vishay SiliconixMOSFET N-CH 400V 2A TO220ABIRF7101TR MOSIRIRF6898MPBFIRIRF7101 MOSIRIRF6811STRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 25V 19A/74A DIRECTFTIRF710Harris CorporationPFET, 2A I(D), 400V, 3.6OHM, 1-EIRF6811STRPBF MOSIR
IRF710Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 400V 2A TO220ABIRF6898MTRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 25V 40A/214A DIRECTIRF6810STRPBFInternational RectifierPFET, 16A I(D), 25V, 0.0052OHM,IRF7101TRIRFIRF6893MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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